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晶体振荡器

图片 系列 频率范围 (MHz)工作温度 (℃)频率稳定度 (ppm)封装尺寸 (mm)封装外形 工作电压 (V)输出模式 材质 存储温度范围 (℃) RoHS 无铅 规格书
XO14 0.032768~160.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-55~+85
-55~+125
±10~±10020.80*5.08~+5.0VDC±10%
+3.3VDC±10%
TTL/CMOS~-55~+125
XO14N 0.032768~160.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-55~+85
-55~+125
±5~±10020.80*6.8~+5.0VDC±10%
+3.3VDC±10%
TTL/CMOS~-55~+125
XO08 0.032768~160.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-55~+85
-55~+125
±10~±10013.21*13.21~+5.0VDC±10%
+3.3VDC±10%
TTL/CMOS~-55~+125
XO149 1.000~70.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-55~+85
-55~+125
±10~±10013.0*9.80~+5.0V±10%
+3.3V±10%
TTL/CMOS~-55~+125
XO25 1.000~200.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
±20~±1002.5*2.0~+3.3V
+2.5V
+1.8V
CMOS~-55~+125
X032 1.000~200.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-40~+125
-55~+85
-55~+125
±20~±1003.2*2.5~+3.3V
+2.5V
+1.8V
CMOS~-55~+125
XO53 0.032768~125.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-40~+125
-55~+85
-55~+125
±10~±1005.0*3.2~+5.0
+3.3
+2.5
+1.8
TTL/CMOS~-55~+125
XO75 0.032768~160.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
-40~+125
-55~+85
-55~+125
±10~±1007.0*5.0~+5.0
+3.3
+2.5
+1.8
TTL/CMOS~-55~+125
XO75P 0.750~800.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
±25~±1007.0*5.0~+3.3VDC±10%
+2.5VDC±10%
P:PECL~-55~+125
XO75L 0.750~800.000 0~+50
-10~+60
-20~+70
-40~+85
±25~±1007.0*5.0~+3.3VDC±10%
+2.5VDC±10%
L:LVDS~-55~+125